IGBT 中頻電源 vs 可控硅串聯(lián)中頻電源

一、核心關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比

二、實(shí)際生產(chǎn)能耗差距（行業(yè)實(shí)測）  

熔煉一噸鐵水：可控硅柜耗電：約 580～620 度

                               IGBT 柜耗電：約 480～520 度  

                               每噸省電 60～100 度

1. 長期生產(chǎn)：連續(xù)開爐工況下，綜合節(jié)電率15%～20%，回本周期短。

總結(jié)：

1. 可控硅串聯(lián)柜：大電流、低功率因數(shù)，電很多耗在電纜發(fā)熱、線路損耗、無功浪費(fèi)上，爐子越低溫越費(fèi)電。

2. IGBT 電源柜：高壓小電流、高功率因數(shù)，電能集中用來化料升溫，發(fā)熱損耗少、熔煉快、全程省電